還有更多的電子設(shè)備，盡管在認(rèn)證的實(shí)施細(xì)則中沒(méi)有直接提到開(kāi)關(guān)電源的問(wèn)題，但是在它的認(rèn)證中（這里指的是廣義“認(rèn)證”，有一些產(chǎn)品不需要3C認(rèn)證，但有“入網(wǎng)”認(rèn)證要求）都無(wú)一例外提到了要做電磁兼容性試驗(yàn)。由于開(kāi)關(guān)電源作為這些設(shè)備中與電網(wǎng)連接的關(guān)鍵部件，所以這些試驗(yàn)都和開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容性有關(guān)。因此，無(wú)論開(kāi)關(guān)電源是不是作為一個(gè)獨(dú)立產(chǎn)品參加強(qiáng)制產(chǎn)品認(rèn)證，但作為電子設(shè)備與電網(wǎng)連接的一個(gè)首當(dāng)其沖的部件，只要這個(gè)產(chǎn)品需要參加認(rèn)證，那么開(kāi)關(guān)電源都必須經(jīng)受電磁兼容性試驗(yàn)。

應(yīng)用特點(diǎn)：

1、 降低孔隙率,晶核的形成速度大于成長(zhǎng)速度,促使晶核細(xì)化。

2、 改善結(jié)合力,使鈍化膜擊穿,有利于基體與鍍層之間牢固的結(jié)合。

3、 改善覆蓋能力和分散能力,高的陰極負(fù)電位使普通電鍍中鈍化的部位也能沉積,減緩形態(tài)復(fù)雜零件的突出部位由于沉積離子過(guò)度消耗而帶來(lái)的“燒焦”“樹(shù)枝狀”沉積的缺陷,對(duì)于獲得一個(gè)給定特性鍍層(如顏色、無(wú)孔隙等)的厚度可減少到原來(lái)1/3~1/2,節(jié)省原材料。

4、 降低鍍層的內(nèi)應(yīng)力,改善晶格缺陷、雜質(zhì)、空洞、瘤子等,容易得到無(wú)裂紋的鍍層,減少添加劑。

5、 有利于獲得成份穩(wěn)定的合金鍍層。

6、 改善陽(yáng)極的溶解,不需陽(yáng)極活化劑。

7、 改進(jìn)鍍層的機(jī)械物理性能,如提高密度降低表面電阻和體電阻,提高韌性、耐磨性、抗蝕性而且可以控制鍍層硬度。

傳統(tǒng)的電鍍抑制副作用的產(chǎn)生、改善電流分布、調(diào)節(jié)液相傳質(zhì)過(guò)程、控制結(jié)晶取向顯得毫無(wú)作用,面對(duì)絡(luò)合劑和添加劑的研究成了電鍍工藝研究的主要方向。納米開(kāi)關(guān)電源解決了傳統(tǒng)高頻直流電源存在的缺陷。

利用單片機(jī)作為控制電路，根據(jù)三相全控橋觸發(fā)脈沖之間的邏輯關(guān)系，直接產(chǎn)生六相高度均衡的觸發(fā)脈沖，可以克服KC、KJ系列電路均衡性差的缺點(diǎn)。但是，由于現(xiàn)場(chǎng)系統(tǒng)工作在強(qiáng)電干擾比較嚴(yán)重的場(chǎng)合，為了減小干擾可能引起程序運(yùn)行紊亂，造成系統(tǒng)失控而引起主電路器件的損壞;另外，為了增強(qiáng)系統(tǒng)的功能，加強(qiáng)人機(jī)對(duì)話能力，實(shí)現(xiàn)顯示、打印、命令輸入、循環(huán)檢測(cè)、過(guò)壓過(guò)流保護(hù)以及軟件PI調(diào)節(jié)器等功能，必須采用雙CPU并行工作。但雙CPU并行工作既增加了系統(tǒng)的復(fù)雜性，又降低了系統(tǒng)的可靠性和實(shí)用性。